产品与服务

C1608C0G1E822JT000N 高频陶瓷电容参数详解

1. 基础参数
   C1608C0G1E822JT000N 是一款0603封装（1.6mm×0.8mm）的MLCC（多层陶瓷电容），采用C0G（NP0）介质材料，具有超低损耗和超高稳定性，适用于高频、高精度电路设计。其标称容值为8.2nF（822），电压额定值为25V，容差为±5%，符合工业级可靠性标准。来了解下深圳谷京吧：136--1307--7949（魏信同号）

2. 介质特性与优势
   C0G（NP0）介质温度系数近乎为零（±30ppm/℃），在-55℃至+125℃范围内容值变化极小，且无压电效应，适合振荡器、滤波器、RF匹配等对温度敏感的应用场景。相比X7R/Y5V等材料，C0G在高频下的ESR更低，Q值更高。

3. 电气性能
   该电容在1MHz下的典型ESR低于0.1Ω，自谐振频率（SRF）可达数百MHz，尤其适合高频信号耦合或去耦。25V的耐压设计可满足多数低功耗数字电路（如MCU电源滤波）或射频模块的电压需求。

4. 结构与可靠性
   采用TDK成熟的叠层工艺，电极使用镍/锡镀层，兼容无铅焊接。0603封装体积小巧，适合高密度PCB布局，并通过AEC-Q200认证（部分型号），适用于汽车电子等严苛环境。

5. 应用场景
   典型应用包括：

   • 射频电路（天线匹配、PA旁路）
   • 高频滤波（DC-DC转换器输入/输出）
   • 精密计时电路（晶体振荡器负载电容）
   • 医疗设备或测试仪器的信号调理。

6. 供应链与品质保障
   作为TDK电容的优选合作伙伴，谷京科技提供原厂直供渠道，确保物料可追溯性。支持小批量样品到大规模采购，配合专业FAE团队提供选型支持，缩短客户研发周期。

结语
C1608C0G1E822JT000N凭借C0G介质的稳定性和0603封装的通用性，成为高频电路设计的理想选择。结合谷京科技的技术服务与TDK原厂品质，可有效提升产品性能和可靠性。