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TDK片式高频电容C3216C0G2E223JT000N是一款高性能陶瓷电容器，其尺寸为标准的1206封装，适合紧凑型电路布局。该电容器采用C0G介质材料，在-55℃至+125℃的宽温范围内表现出卓越的温度稳定性。其标称容量为22nF（22NF），额定电压高达250V，容量误差范围为±5%，确保在各种复杂环境中提供卓越性能。

这款电容器以其出色的高频特性和稳定性而闻名，特别适用于高频信号处理、滤波和噪声抑制等关键场景。C0G介质材料赋予了它极低的温度系数和优异的频率特性，使其能够在高频条件下保持稳定的电容值和低损耗性能。这使得C3216C0G2E223JT000N成为通信设备、射频模块以及其他高频应用的理想选择。

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