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                 BW-IFSM/ITSM浪涌电流测试仪

（方波 100μm-10ms/＜1000A,正弦波 100μm-10ms/＞3000A）可加热

浪涌电流测试系统 BW-ITSM（方波 100μm-10ms/＜1000A,正弦波 100μm-10ms/＞3000A）是SIC相关半导体器件测试的重要检测设备

测试原理：

• 模拟浪涌电流产生：通常利用专门的电路或装置来模拟电力系统中可能出现的浪涌电流情况。如基于LC振荡电路原理，通过电容的快速放电和电感的储能、释能过程，产生具有特定波形和幅值的浪涌电流。一些系统还会采用晶闸管等功率器件来控制放电过程，精确调整浪涌电流的参数。

• 响应检测与分析：被测设备在承受浪涌电流时会产生相应的电气响应，如电压波动、电流变化、设备工作状态改变等。测试系统通过电压传感器、数据采集设备等记录这些响应，然后利用数据分析软件对采集到的数据进行处理和分析，判断被测设备对浪涌电流的耐受能力、响应特性等。

  

测试意义：

• 评估设备可靠性：能检验设备在浪涌电流冲击下是否会出现故障、损坏等问题，确保其在恶劣电力环境下也能稳定工作，为设备的质量和可靠性提供重要依据。比如在电力系统中，通过浪涌电流测试可保证变压器、开关等设备在雷击等浪涌情况下的安全运行。

• 具有如下特点：

1）该系统的测试控制完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。

2）该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。

3）该套测试设备主要由以下几个单元组成：

a、浪涌测试单元

b、阻断测试单元

C、自动加热控温系统

d、计算机控制系统，参数设定，测试数据记录，波形保存均有计算机完成，一键测试，

4）参考的相关标准：JBT-7624-2013《整流二极管测试方法》GB/T 4023-2015/IEC 60747-2:200

一、技术条件

1、浪涌测试单元IFSM

正弦半波浪涌电流范围：短路电流50～3000A，分辨率1A,精度＜2%±1，

低档范围：50～200A，计算机设定 高档范围：100～3000A 计算机设定

b.浪涌电流底宽：0.1ms、1ms、8.3ms、 10ms正弦半波，偏差小于±3%，单选。

c.浪涌电流重复测试间隔（可设定）：2S～300S。

e.浪涌电流下的压降测试：压降测试范围0.01-50V，分辨率0.001V,精度＜2%±0.01

f.正向浪涌波形和导通压降波形可自动显示并保存在电脑中。同时可保存波形的数据。

g、方波浪涌：电流宽度100-5000us,可任意调整参数宽度

h、方波电流范围：宽度：方波100-1000us:对应电流50-1000A

方波5-10mS：对应电流50-500A

方波0.1-1mS：对应电流50-1000A

浪涌电流输出方式：单次、重复（电流不变，重复测试）、递增（测试电流按设定步进自动增加，到目标或失效停止）

加热自动控温系统，含两套，模块为底板加热控温，分立器件为手动小型加热控温。控温范围：25-180℃，控温误差小于2%，设定温度手动设定。

2、阻断测试(用于判断浪涌电流后器件是否失效)

a.正反向电压测试范围：50V～500V可调 ，分辨率1V,精度＜2%±1。

设定漏电流上限保护，再测试电压；如测试漏电流大于设定值停止加高压。判断为导通失效。

b.反向电压输出方式：DC直流，正反向输c.漏电流：0.001～10mA，分辨率0.001mA,精度满量程的±5%

e.测试过程：计算机设定，过程一键自动测试；自动完成判断是否浪涌失效，并自动保存测试数据

g,适合封装：各类二极管，MOS、IGBT等，封装为TO直插或模块等，两种接口：1000A以下的直插接口，及模块接口（机柜侧面），所有接口均手动接入器件。

3、MOS器件正向导通、反向（体二极管）测试

正向导通测试：栅极电压：5-25V可设定， 判断阻断电压给正向电压反向导通测试：栅极电压：-10-0V可设定，判断阻断电压给反向电压。

参数设定主要是设定图11所示的几个关键参数，包括反向保护电压、保护电流（设定漏电流上限）、脉冲间隔时间（重复测试时间）、脉冲次数（重复次数）等。设定时需注意，有关参数不能超过系统设定范围，比如脉冲次数为1-20次，如输入30，则系统默认为20。

电流宽度：选10uS或10mS

电流方式：方波或正弦波

电流换挡：低档（50-200A）,高挡（100-3000A），方波50-1000A

浪涌电流模式：单次、重复或递增

递增测试：设定高档电流，再设起始电流，递进电流时增加量递增电流

如：高档电流设定100A,起始电流70A，递增5A,点击运行，测试最终停止与100A

脉冲次数即重复次数

其他二极管浪涌测试：

可用于各类二管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌电流（IFSM）试验，包括三管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的内置二管的浪涌测试。** **二管元件在实际使用中，除了能长期通过额定通态平均电流外，还应能承受一定倍数的浪涌过载电流而不致损坏，以便适应在各种应用中的要求。二管浪涌过载电流如果超过其允许范围，轻者引起元件性能变坏（如伏安特性、通态峰值电压的变化） **

技术指标：

浪涌电流（IFSM/ITSM）调节范围：0.30～3.60kA

分辨率0.01kA，精度±3%±0.01kA

电流波形：正弦半波，底宽10ms

测试频率：单次

反向电压（VRRM）调节范围：0.20～2.00kV，分辨率0.01kV，精度±5％

反向电压测试频率：50Hz；

反漏电流（IRRM）测试范围；1.0～100.0mA，分辨率0.1mA，精度±5％±0.1mA

工作方式：

由触摸液晶屏设定浪涌电流大小、反向电压值及反向漏电流保护值

上述设备配置输出及测试线,但不含测试用“夹具”。该“夹具”用于满足元件按照标准进行测试时所要求的温度和压力测试条件。