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DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。

DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。

特点：

※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；

※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；

※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；

※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；

※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；

※ 多种可选封装方式。

参数：

※ 温度范围：3K~500K；

※ 标准曲线：DT640

※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；

※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。

※ 反向电压高达：75V；

※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；

※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；

※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；

※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；

※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。

对于需要在70K到500K之间对温度进行测量和控制的场合，PT100铂电阻温度计是一个极好的选择。在这个温度范围内，铂电阻温度计有很好的重复性和几乎不变的灵敏度。在误差允许的范围内（1度），铂电阻温度计也可以应用在磁场和辐射环境中。

70K 以上铂电阻温度计具有通用的标准曲线，这使得铂电阻温度计拥有很好的互换性。锦正茂提供的薄膜型铂电阻，尺寸更小，响应时间更短，应用场合更加广泛。

特点

※ 40K以上受磁场影响较小；

※ 受电离辐射影响极小；

※ 提供两点或三点或多点校准。

参数

※ 温度范围：14K ~ 873K

※ 标准曲线：IEC 751

※ 推荐激励电流：1mA

※ 推荐激励下的耗散功率：100μW@273K

※ 灵敏度：遵循PT100典型灵敏度曲线

※ 响应时间：1.5S@77K，10S@273K               

※ 辐射影响：可以在辐射环境下使用

※ 磁场影响：不推荐40K以下的磁场环境中使用

※ 重复性：±10 mK@77K（通过100次300K到77K 的热冲击测试而来）

Cernox 温度传感器具有高灵敏度、稳定性好、遵循单一电阻与温度曲线，磁场性能优良和耐辐射等特性。适用于低温系统中1.5-375K范围内的测量。传感器在及其严格的质量控制下制造，并在强磁场、中子伽马辐射、热循环和机械耐久条件下证明长期稳定性。与其他可用的低温温度传感器相比，碳陶瓷低温温度计具有优越的机械和热环境性能，被广泛应用于整个工业研究领域。

特征

※ 20年来，每年测量的长期稳定性漂移小于1mK；

※ 灵敏度400-1600Ω/K；

※ 响应时间小于1毫秒；

※ 磁场小于6T，误差可忽略不计；

※ 机械稳定性和操纵特性；

※ 适用于t的宽温度范围；

※ 可用在强磁场、中子-γ辐射条件下；

※ 具有良好的稳定性、热循环和机械耐久性。

碳陶瓷基体结构

※ 玻璃涂层，密封，2mmx8mmx1mm深

※ 可用于气体、真空、液体和固体

※ 选定的传感器经过3个月50次热循环的热处理

※ 提供多项式拟合的多点校准传感器

※ 非氧化合金引线可弯曲，并能经受正常焊接

※ 2线标准配置，3线和4线可选

铑铁温度计具有广泛的测温范围，且不受电离辐射影响，在77K温度以上受磁场环境影响小。线绕型铑铁温度计稳定性强，多作为二级标准温度计使用。铑铁温度计具有正温度系数，测温范围内呈现单调变化。100K到273K之间，电阻随温度的变化具有良好线性特点。

特点

※ 长期稳定性*好；

※ 100K 以上温度曲线呈线性响应；

※ 测温范围广；

※ 更好的抵抗辐射影响。

参数

※ 温度范围：1.2K ~ 325K

※ 标准曲线：无

※ 推荐激励电流：1mA

※ 推荐激励下的耗散功率：3μW@4.2K，50μW@273K

※ 响应时间：10S@273K

※ 辐射影响：可以在电离辐射环境中使用

※ 磁场影响：不推荐77K温度以下的磁场环境中使用

※ 重复性：±5mK@77K（通过100次300K到77K的热冲击测试而来）