产品与服务

石墨烯粉末电阻率测试仪以实现精准测量。品牌与认证符合行业标选择通过国家或国际认证的仪器（如符合GB/T标如需进一步了解具体型号参数或供应商信息，可参考原文链接或联系厂商获取技术文档。

GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法

硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法

GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法提要

GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

石墨烯粉末电阻率测试仪探针（带有弹簧及外引线）之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω. 探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合 GB/T 552中的规定。

确认仪器是否支持选配模具或传感器（如压力、温度），以适应多样化测试需求。

石墨烯粉末电阻率测试仪下列文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T 1552 硅、储单晶电阻率测定 直排四探针法

选型建议明确测试需求关键部件采用进口元件的仪器寿命更长。应用场景扩展用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，达到热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.-2004）。

石墨烯粉末电阻率测试仪测量特殊形状或尺寸的样品（如扁钢接地体），需搭配专用取样器（如半导电橡塑电阻仪取样

品牌资质与售后服务，避免后续使用问题。

探针与试样压力分为小于0.3 N及0.3 N~0.8N两种。电流输出：直流电流0～1000mA连续可调，由交流电源供电。误差：±0.2%读数±2字

干扰因素探什材料和形状及其和硅片表面接触是否满足点电流源注人条件会影响测试精度。

测量误差±5%

本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料之电导率。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电导率单位自动选择，BEST-300C 材料电导率测试仪自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成图表和报表。

电源：220±10% 50HZ/60HZ

250 μm 的半球形或半径为 50 μm~125 μm 的平的圆截面。

主机外形尺寸：330mm*340mm*120mm

测量精度±（0.1%读数）

分辨率：最小1μΩ

行业标准：需确认仪器是否符合YS/T 587.6-2006、GB/T 24521-2018 等标准，满足相关炭素材料测试要求。材料类型：适用于石墨、碳素粉末、锂电池材料、粉末冶金等导电或半导体粉末的测试。自动化与功能性电流输出：直流电流0～1000mA连续可调，由交流电源供电。提供完整的技术支持和售后服务，保障仪器的长期稳定使用。操作与维护便利性人机交互设计，而常规检测可适当放宽精度要求。测试电流适配性半导电材料对测试电流敏感，需根据材料提升测量准确性，尤其适用于微电阻或高阻值测量场景。相较传统两线法或兆欧表，四线法更器类型与便携性1.手持式 vs 台式手持式：适合现场快速检测，便携性强，但可能牺牲部分精

如2兆欧档误差±0.5%读数+2字）。精度要求：高精度场景（如实验室）需选择误差更小的仪器

粉体电阻率测试仪的选型需综合考虑测量需求、材料特性、测试环境及预算等因素。以下是基于搜索结果的选型关键点分析及推荐：核心选型要素

测试标准与适用材料电流换向开关电导率：5×10-6～1×108ms/cm

特性。总结建议明确被测材料的电阻范围及测试环境，选择匹配量程和精度的仪器优先采用四

电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV~100mV，分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小

电阻：1×10-5～2×105Ω\cdot \text{cm}\) 之间。需确保测试仪的测量范围覆盖实际应用需求。例如，若需测量中高

光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，

若需同时测量土壤电阻率或泄漏电流，可考虑多功能测试仪，但需确认其是否兼容半导电材料

及导出功能的仪器更便于后续分析。例如，3位数字显示屏和自动过载提示能提升操作效率。仪

与维护选择具备坚固外壳、防尘防水（如I54等级）的仪器，适应户外或复杂工业环境。同时

本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A~5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。

参考回路电阻测试仪的选型思路（如连续可调电流设计）。

考虑厂商技术支持能力，注意事项误差来源：粉末压实度、模具清洁度、环境温湿度均可能影响结果，需规范操作流程。校准维护定期使用标准电阻校准（如1-5 个标准电阻选配），确保长期稳定性。

双刀双撑电位选择开关。适合半导电材料的精密检测。环境适应性仪器需在特定温湿度条件下工作（如温度23±2°C、于10*0.电子测量装置适用性应符合GB/T 1552 的规定。 欧娇表，能指示阻值高达 10°日 的漏电阻. 温度针o℃～40 ℃，最小刻度为0.1 ℃。

自动化操作高端型号北广精仪仪器设备公司支持自动加压、脱模、数据采集及生成曲线图谱，适合批量测试需求；手动型号成本较低。附加功能部分仪器集成温度、压强实时监测，或支持高温测试适用于模拟极端环境下的电性能分析。

电阻率：1×10-6～2×106Ω.cm、

量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA

本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示电阻值、电阻率、方阻、电导率值、温度、压强值、单位自动换算，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.

准），确保安全性与可靠性。例如，部分仪器明确标注符合电力行业执行标准（如DL/T 845.4

测量电压量程：2mV20mV200mV2V

1. 测量范围与精度电阻率范围：多数仪器的电阻率覆盖范围为 (10^-7- 10^8 Omega )，部分高温型号可达更高范围（如 \(10^-8- 10^8 ）。精度要求：高精度型号的电阻率测量误差可低至 ±0.01 μΩ·m，而经济型设备误差通常为 ±0.1%～±0.3%。电流与电压精度恒流源输出需稳定（如 ±0.01 mA），电压分辨率需达 0.1 μV 以支持微小信号检测。

提供中文或英文两种语言操作界面选择，满足国内及国外客户需求

电压表输入阻抗会引入测试误差。硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果。

本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料之电导率。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电导率单位自动选择，BEST-300C 材料电导率测试仪自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成图表和报表。

适用范围四端测试法是目前较先进之测试方法，主要针对高精度要求之产品测试；本仪器广泛用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。

样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。 样品台上应具有旋转 360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，

恒意源，按表1的推荐值提供试样所需的电流，精度为±0.5%.

GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
主机外形尺寸：330mm*340mm*120mm
对于电阻率均匀一致的半导体材料来说，探针与半导体材料接触半径为a的扩展电阻用式（1）来表示;
该方法是先测量重复形成的点接触的扩展电阻，再用校准曲线来确定被测试样在探针接触点期近的电阻率。扩展电阻R是导电金属深针与建片上一个参考点之间的电势降与流过探针的电流之比。
范围本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。
本标准适用于侧量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量材底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围，10-* n·cm～10' Ω·cm。
圆试精度∶士5%， 机械装置操针架，采用双探针结构。探针架用作支承探针，使其以重复的速度和预定的压力将探针尖下降至试样表面，并可调节探针的接触点位置探针实采用坚硬耐磨的良好导电材料如饿、碳化鸭成将钉合金等制成。针突曲率半径不大于 25 μm，夹角 30°～60°。针距为40 μm～100 μm。
提供中文或英文两种语言操作界面选择，满足国内及国外客户需求
分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV
国际标准分类中，四探针法涉及到半导体材料、金属材料试验、绝缘流体、兽医学、复合增强材料、电工器件、无损检测、集成电路、微电子学、土质、土壤学、水质、电子显示器件、有色金属。
本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示电阻值、电阻率、方阻、电导率值、温度、压强值、单位自动换算，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.
电流输出：直流电流0～1000mA连续可调，由交流电源供电。
GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
式中;—-—电阻率，单位为欧姆厘来（0·cm）; a——接触率径，单位为厘米（cm） R，——扩展电阻，单位为欧姆（N），等式成立需符合如下三个假定条件;
测量仪器与环境本标准选用自动测量仪器，电流范围及糖度;10 nA~10 mA，±0.1%。
可采用恒压法，恒流法和对数比较器法，其电路图分别见图1、图2、图3.具体计算公式分别见式（2）、式（3）和式（4）
GB/T 7 重掺杂衬底上轻掺杂建外延层厚度的红外反射测显方法
电压范围及精度，≤20 mV，主±0，1%。
GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
GB/T -2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法
电导率：5×10-6～1×108ms/cm
应避免试样表面上存在OH-和F离子，如果试样在制备或清洗中使用了含水溶剂或材料，测量前可将试样在0 ℃条件下空气中热处理10mi~15 min.
将样品粘在磨头的斜面上，选取合适的研磨膏涂抹在样品表面进行研磨，研磨后样品须处理干净。
测量精度±（0.1%读数）
测量环境温度为23 ℃士3 ℃，相对温度不大于65%. 5，在爱射光或黑暗条件下进行调量。 必要时应进行电磁探针架置于消度台上，
样品制备用于测量晶片径向电胆率均匀性的样品应具有良好的镜状表面，制备方法包括，化学机被抛光/含水机被抛光/无水机被监光，外延后表面可直接用于测量，
误差：±0.2%读数±2字
本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料之电导率。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电导率单位自动选择，BEST-300C 材料电导率测试仪自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成图表和报表。
用于测量电阻率纵向分布的样品制备除特殊需要外，尽量在被测样片中间区域剂取被测样根据样品测试深度及精度要求选取合通磨头;
干状因素如果硅片表测被氯离子估污或表固有损伤，会造成测试的结果误差; 如果测试环境的温度，光照强度的不同会影响测试结果; 如果测试环境有射频干扰，会影响测试结果.
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
电阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、
在中国标准分类中，四探针法涉及到半金属与半导体材料综合、金属物理性能试验方法、、、电工合金零件、特种陶瓷、质谱仪、液谱仪、能谱仪及其联用装置、电阻器、半导体集成电路、工程地质、水文地质勘察与岩土工程、水环境有毒害物质分析方法、电工材料和通用零件综合、半金属、元素半导体材料、金属无损检验方法。
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,
样品台，绝缘真空吸盘或其他能将硅片固定的装置，能在互相垂直的两个方向上实现5μ~500μm 步距的位移
测量误差±5%
为保证小信号测量条件，应使探针电势不大于 20 mV。
电阻：1×10-5～2×105Ω
标配：测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。
CB/T1550 非本征率导体材料导电类型测试方法 GB/T 1552 硅、储单晶电阻率测定 直排四探针法
四端测试法是目前较先进之测试方法，主要针对高精度要求之产品测试；本仪器广泛用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。
电源：220±10% 50HZ/60HZ
式中;R，—-精密电阻盟值，单位为欧姆（N）; loe（告）——-对数比较器输出。
显示方式：液晶显示
方法原到扩展电阻法是一种实验比较法。
测量电压量程：2mV20mV200mV2V
绝缘性，探针之间及任一探针与机座之间的直流绝缘电阻大于（1×10）n， 测量环境
电阻测量范围：两个探针之间的距离必须大于 10 倍样品电阻率需均匀一致; 不能形成表面保护膜或接触势垒。