联系方式

MOS管7N65产品特征:

1、RDS(on)=1.2?@VGS=10V

2、低栅电荷(典型的29nC)

3、高强度

4、快速切换

5、100%雪崩试验

6、增强的dv/dt能力

MOS管7N65产品主要参数

产品型号:7N65H

工作方式:7A/650V

漏至源电压:650V

门到源电压:±30V

雪崩能源:14.7/230MJ

操作和储存温度范围:-55至150℃

封装:TO-220F

  本公司MOS管TO-220F封装产品有:2N60   3N60   4N60   5N60   7N60  8N60   10N60    7N65    8N65            10N65    11N65    12N65   3N80   5N80    6N80    7N80   8N80     13N50   19N20      9N50    16N60            20N60(品质稳定,价格优势,无铅环保


详情:

规格参数

  • 行业分类:

    电子元器件/场效应管

  • 产品类别:

  • 品  牌:

    浩辉

  • 规格型号:

    7N65

  • 库  存:

    1000000

  • 生 产 商:

    深圳市浩辉微电子

  • 产  地:

    中国广东省深圳市

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